mos产品应用建议
一、bvdss的选择：
在选定器件的耐压时，对于电路运行条件的电源电压vdd以及开关断开时产生的浪涌电压，在设计时需要留有一定余量，不能超过bvdss。另外bvdss具有正温度特性，所以必须考虑使用的最低温度环境条件。如果选取余量很小，近乎极限应用，且应用环境温度又很低，则会发生失效。
二、驱动电压建议：
功率mosfet栅极驱动电压可通过栅极氧化层的调整来改变，栅极氧化层越薄则vth越低，vth具有负温度特性，约为-5mv/℃，即温度上升100℃，vth降低0.5v。对于开关应用的mosfet来讲，vth值在2-5v之间，电路应用中应将vgs电压设定在10v-12v之间，这样可以使得mosfet完全开通处于饱和状态，如果vgs电压过于临界接近vth值，则可能由于温度影响导致vth变化而使得mosfet不能开启或者出于放大状态。如右图所示：由于vgs驱动电压过低，
vds波形
id波形
导致了mos进入放大状态，这时会出现ds高电压，id大电流的情况，极易烧毁晶体管。所以在电路设计时要注意各种异常状态下的gs驱动电压不要过低。不过gs驱动电压也不是越高越好，10v左右驱动电压最佳，即使再增加驱动电压也只不过是增加驱动功耗而已，对mosfet工作并无益处。
 
vds波形
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三、驱动电路的设计：
在应用中使mosfet驱动电路与mosfet匹配主要是根据功率mosfet导通和截止的速度快慢（栅极电压的上升和下降时间）。任何应用中对上升和下降时间的优化取决于很多因素，例如emi（传导和辐射）、开关损耗、引脚/电路的感抗以及开关频率等，对开关时间的优化会对前面几项因素产生一定影响，例如开关速度的提高会加重emi干扰，但是会降低开关损耗，如果是自激振荡电路又会对开关频率产生一定影响等。mosfet导通和截止的速度
与mosfet栅极电容的充电和放电速度有关。mosfet栅极电容、导通和截止时间、驱动电流的关系可以表示为： dt=(dv*c)/i   而 q=c*v    则 dt=q/i
其中：dt= 导通/截止时间
      dv= 栅极电压
      c= 栅极电容
      i= 峰值驱动电流
例如：某一mosfet产品
        栅极电荷=20nc（q）
        栅极电压=12v (dv)
        导通/截止时间=40ns (dt)
则驱动电流计算为
      dt=q/i
      i=q/dt=20nc/40ns=0.5a
要注意的是这个是峰值电流。
通常栅极驱动电路会加一个限流电阻，一方面对充电电流加以限制，另外通过对电阻的调整可以改变栅极电压的上升时间，改善emi噪声，但是此电阻不宜过大，建议在100欧姆以下，否则对开关损耗影响较大。
如果栅极驱动电路与栅极的连接走线较长，则会有一定电感存在易产生振荡，如果振荡电压超过栅极所能承受的电压，则会烧毁栅极，所以需要在栅源之间加齐纳二极管，防止栅极击穿。
栅极驱动可以反向并联一个二极管，这样可以加快栅极电容的反向放电速度，提高mosfet的关断速度，降低开关损耗，但是考虑到
emi噪声的影响也需要对放电电流加以一定限制，可用
r1来限制和调整放电电流的大小。加速栅极电容放电速
度，对于高频应用的电路来讲可以大幅降低关断损耗，
对整机效率会产生较大影响。